特許
J-GLOBAL ID:200903083569665815
単結晶製造装置及び単結晶製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
村上 友一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146313
公開番号(公開出願番号):特開2000-327479
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年11月28日
要約:
【要約】【課題】 単結晶引上げ時に通過する1150〜1080°Cの温度領域で生じる欠陥(Grown-in欠陥)の欠陥サイズを引上速度と前記欠陥形成温度領域での温度勾配との積を大きくして欠陥サイズを低減させ、ウエハ熱処理後のGrown-in欠陥密度を低減させることにより、デバイスにおける歩留まりの向上を図り、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶材料である融液を保持するルツボと、当該ルツボの周囲にあって融液を加熱するヒータと、前記ルツボ内の融液上方に位置した上下移動可能な支持手段と、支持手段に連結された種結晶下部に成長する単結晶を取り囲む輻射スクリーンを有する単結晶製造装置である。輻射スクリーンは、断面形状が中空のほぼ三角形形状で単結晶を取り囲む環状に形成されるとともに、単結晶に対向する内面側が逆円錐台形状に漸次縮小するように配設される熱遮蔽板の内側に所定の厚さの断熱材を付設し、断熱材間の輻射熱を低減する空間を有している。
請求項(抜粋):
単結晶材料である融液を保持するルツボと、当該ルツボの周囲にあって融液を加熱するヒータと、前記ルツボ内の融液上方に位置した上下移動可能な支持手段と、支持手段に連結された種結晶下部に成長する単結晶を取り囲む輻射スクリーンとを有する単結晶製造装置において、輻射スクリーンは、断面形状が中空のほぼ三角形形状で単結晶を取り囲む環状に形成されるとともに、単結晶に対向する内面側が逆円錐台形状に漸次縮小するように配設される熱遮蔽板の内側に所定の厚さの断熱材を付設し、断熱材間の輻射熱を低減する空間を有することを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件):
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
FI (2件):
C30B 15/14
, C30B 29/06 502 C
Fターム (8件):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG19
, 4G077EG20
, 4G077EG25
, 4G077FE02
, 4G077PE22
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