特許
J-GLOBAL ID：200903083572076723
位相シフトマスクの製造方法及びそのマスクブランク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横川 邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-152141
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 レジスト等といったレーザ光を熱として吸収できない材料によって構成される欠陥に対する修正技術を確立することにより、欠陥のない位相シフトマスクを安定して量産できる位相シフトマスクの製造方法を提供する。【構成】 基板1上に位相シフター用膜2’を形成し、さらに位相シフター用膜2’の上にレーザ吸収膜3を形成する工程と、レーザ吸収膜3の上にレジストパターン6を形成する工程と、レジストパターン6の形成後にエッチングによって位相シフター用膜2’からパターン状位相シフターを形成するシフター形成工程とを有する位相シフトマスクの製造方法。レーザ吸収膜3を設けたことにより、エッチング等を用いたシフター形成工程に先立って、レーザ光Rを用いて欠陥Kを加熱除去することができるようになった。
請求項（抜粋）：
基板上に位相シフターを備えた位相シフトマスクの製造方法において、基板上に位相シフター用膜を形成し、さらにその位相シフター用膜の上にレーザ吸収膜を形成する工程と、レーザ吸収膜の上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの形成後にエッチングによって位相シフター用膜から位相シフターを形成するシフター形成工程とを有しており、さらにレーザ光を用いて欠陥を修正する欠陥修正工程を上記シフター形成工程の前に設けたことを特徴とする位相シフターの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 528
