特許

J-GLOBAL ID：200903083572550816

ドライエッチング方法及びそれを用いた容量形成方法

発明者： 山中 通成 ,  芝田 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183363
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009046
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 凹部領域に白金を用いた下部電極を形成する高誘電体容量の形成において、加工性に優れたドライエッチング方法と、それを用いた容量形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板501上にSiO2からなる第1の絶縁膜504とその上に更にSiNからなる第2の絶縁膜505を堆積する工程と、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜に凹部506を形成する工程と、凹部の内部を含む第1ならびに第2の絶縁膜上に白金膜507、509を堆積する工程と、前記白金膜上にSiO2からなる第3の絶縁膜508を堆積する工程と、凹部領域以外の領域に白金膜509を露出させる工程と、前記白金膜509を(O2/(O2+Cl2)流量比)が40%、[(Ar流量)/(Ar+Cl2+O2)総ガス流量]が33%のAr、Cl2、O2混合ガスを用いてドライエッチングする工程により白金膜509を除去する。

請求項（抜粋）：

白金膜のドライエッチングにおいて、ArガスとCl2ガスとO2ガスの混合ガスを用いて、ドライエッチングを行なうことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (29件)：

4K057DA13 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DG12 ,  4K057DM40 ,  4K057DN02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40