特許

J-GLOBAL ID：200903083574414391

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 佐藤 広喜
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136298
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350115
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】非晶質半導体層を用いる薄膜太陽電池を、直列接続構造としないでしかも透明電極層を流れる電流に基づくジュール損失の少ない、低電圧、大電流型にする。【構成】絶縁性基板表面上に基板側から金属電極層、非晶質半導体層および透明電極層よりなる太陽電池構造を形成し、基板の裏面上に密着させた金属箔を、基板に分散して明けた小孔を通して透明電極層とはんだ付けすることにより、金属箔から出力を取り出すことができるようにする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に金属電極層、非晶質半導体層および透明電極層が積層され、他面上に金属箔が密着し、透明電極層と金属箔とが、非晶質半導体層、金属電極層および絶縁性基板を実質的に等間隔で分散して貫通し、金属電極層と実質的に絶縁された複数の導体により接続されたことを特徴とする薄膜太陽電池。