特許
J-GLOBAL ID：200903083575896969
半導体基板、位置検出用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068257
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283103
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】露光装置又は描画装置の位置合わせ精度を向上させることのできる半導体基板を提供すること。【構成】ウェハ基板1の半導体素子が形成される面又はその逆の面に設けられた、凹部を持つ位置検出用マーク3aの表面が平坦になるように、保護膜2を設けた半導体基板。また、ウェハ基板の半導体素子が形成される面又はその逆の面に、2種類以上の繰り返し周期の凹部からなる位置検出用マークを設けてもよい。
請求項（抜粋）：
半導体基板の半導体素子が形成される面又はその逆の面に設けられた、凹部を持つ位置検出用マークの表面が平坦であることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G01B 11/00
, H01L 21/68
