特許
J-GLOBAL ID：200903083576280155
半導体製造装置の反応管
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333866
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置の反応管の炉口部からの輻射熱を抑制し、反応管下部の温度の安定を図る。【構成】半導体製造装置の反応管11に於いて反応管下部所要範囲12を不透明にし、反応管下部からの熱輻射を抑制し、反応管下部の温度が安定することで、処理品質が向上する。
請求項（抜粋）：
下部所要範囲を不透明にしたことを特徴とする半導体製造装置の反応管。
IPC (2件)：
引用特許：
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