特許
J-GLOBAL ID：200903083583083560
電界放射型素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057940
出願日： 1998年08月10日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 フラットパネルディスプレイ内の真空度を向上し、かつエミッタ表面に分子が吸着することを防止することができる電界放射型素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板(20a,20b)の表面にゲッター材料(20d)とゲート電極(22a)を形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、ゲート電極及びゲッター材料に孔を形成する工程と、基板上に第1の犠牲膜を形成し、エッチバックすることによりゲッター材料の孔の側壁上にサイドスペーサ(24a)を残す工程と、基板上に第2の犠牲膜(26)を形成し、その上に導電性のエミッタ電極(27)を形成する工程と、第2の犠牲膜の少なくとも一部を除去することによりエミッタ電極を露出させる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
ゲート電極とゲッター材料とを積層する工程を含む電界放射型素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01L 29/66
H01J 9/02 F
, H01J 1/30 F
, H01L 29/66
