特許
J-GLOBAL ID：200903083584435982
部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023939
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268508
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 一般式(1)の繰り返し単位を有する高分子化合物の水酸基の一部の水素原子が酸不安定基により部分置換され、かつ残りの水酸基の一部とエーテル化合物との反応により得られるC-O-C基を有する架橋基により架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)における水酸基の水素原子全体の平均0〜80モル%置換された重量平均分子量1,000〜500,000の部分水素化高分子化合物。(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数、x+y≦5である。p、qは正数、0<q/(p+q)≦0.5、p+q=1である。)【効果】 本高分子化合物を使用した化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性等、に優れている。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する部分水素化高分子化合物のフェノール性水酸基及び/又はアルコール性水酸基の一部の水素原子が1種又は2種以上の酸不安定基により部分置換され、かつ残りのフェノール性水酸基及び/又はアルコール性水酸基の一部とアルケニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)におけるフェノール性水酸基及びアルコール性水酸基の水素原子全体の平均0モル%を超え、80モル%以下の割合で置換された重量平均分子量1,000〜500,000の部分水素化高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。pは正数、qは正数であり、0<q/(p+q)≦0.5、p+q=1を満足する数である。)
IPC (5件)：
G03F 7/004 501
, C08F 8/00
, C08F 12/08
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/004 501
, C08F 8/00
, C08F 12/08
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
