特許

J-GLOBAL ID：200903083584719808

ITO焼結体の製造方法

発明者： 岸 俊人 ,  高梨 昌二 ,  名手 達夫 ,  嘉瀬 博光 ,  石川 俊治 ,  戸張 健二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  株式会社湘南電子材料研究所
代理人 (1件)： 中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-024827
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】 高価なホットプレスを用いず、組織の粗大化が避けられ、収縮も小さい1550°C以下の温度で焼結でき、相対密度が85%以上で適当な成膜速度が得られ、異常放電回数の少ないITO焼結体を安価に得る方法を提供する。【構成】 インジウム酸化物又はインジウム酸化物と錫酸化物とを所望の割合に含有する平均粒径1μm以下の非熱処理粉末に、インジウム酸化物と錫酸化物とを所望の割合に含有する平均粒径1μm以下の粉末を800〜1600°Cで熱処理して得た熱処理粉末を、5〜50重量%混合し、成形して焼結することを特徴とするITO焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

インジウム酸化物又はインジウム酸化物と錫酸化物とを所望の割合に含有する平均粒径1μm以下の非熱処理粉末に、インジウム酸化物と錫酸化物とを所望の割合に含有する平均粒径1μm以下の粉末を800〜1600°Cで熱処理して得た熱処理粉末を、5〜50重量%混合し、成形して焼結することを特徴とするITO焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34