特許

J-GLOBAL ID：200903083588918856

窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法

発明者： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112052
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189498
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】従来大型結晶を得るのが困難であったGaN等のIII 族元素の高純度な窒化物結晶を容易かつ安価に得ることのできる、新規な結晶成長方法を提案することにある。【解決手段】III 族金属元素を加熱、融解し、得ようとする窒化物の融点以下の温度で、III 族金属元素の融液3に窒素原子を含有するガスNH3 を注入して、III 族金属元素の融液3内で、融液3との濡れ性の高いIII 族の窒化物微結晶を製造する。これにより得られるIII 族の窒化物微結晶とIII 族金属原料融液の混合物を液相成長法の出発原料に用いるか、前記混合物からIII 族金属原料を除去して得られるIII 族の窒化物粉末を気相成長法の出発原料に用いる。さらに、ガリウム等のIII 族元素の融液中に種結晶または基板結晶を浸漬し、その表面にアンモニア等の窒素を含有するガスの気泡を断続的に接触させて、種結晶または基板結晶の表面でIII 族元素と窒素を含有するガスを反応させ、これによりその表面にIII 族元素の窒化物結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

III 族金属元素を加熱、融解し、得ようとする窒化物の融点以下の温度で、III 族金属元素の融液に窒素原子を含有するガスを注入して、III 族金属元素の融液内でIII 族の窒化物微結晶を製造することを特徴とする窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B 29/38 Z ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-005902
  
• 特開昭51-151299
  
• 特開平1-145309
  
• 特開平4-154607