特許
J-GLOBAL ID：200903083598578581
半導体基板の表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217968
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面を洗浄するに当たり、自然酸化膜を最初に除去して高度に平坦で汚染物質が除去された表面を得ることができる方法を提供する。【構成】 半導体基板を反応チャンバ内に入れ、フッ化水素酸ガスを導入して自然酸化膜を除去した後、フッ化塩素ガスを導入し、紫外線を照射してエッチングを行い、さらに水素ガスを導入し、紫外線を照射して塩化物を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成されている自然酸化膜や表面に付着している汚染物質を乾式で除去するに当たり、前記半導体基板を反応チャンバ内に入れる工程と、この反応チャンバ内に気体状のフッ化水素酸を導入して半導体基板の表面に付着している自然酸化膜を除去する工程と、前記反応チャンバ内をフッ化塩素を含む雰囲気とし、紫外線を照射することによって発生されるフッ素ラジカルと塩素ラジカルとによって半導体基板の表面をエッチングする工程と、前記反応チャンバ内に水素雰囲気を導入し、紫外線の照射により発生される水素ラジカルによって半導体基板の表面をエッチングする工程とを具えることを特徴とする半導体基板の表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
