特許

J-GLOBAL ID：200903083602283893

ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及び半導体ウェハの研磨方法

発明者： 奥田 裕次 ,  三島 篤司 ,  石川 茂治 ,  神保 直幸 ,  安田 裕之
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184177
公開番号（公開出願番号）：特開2000-015573
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性及び耐熱衝撃性に優れ、半導体ウェハの大口径化、高精度化及び高品質化に対応可能なウェハ研磨装置用ウェハ保持プレートを提供すること。【解決手段】 このウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート6の保持面6aには、半導体ウェハ5が保持される。ウェハ保持プレート6は、気孔率が15%〜50%である珪化物セラミックス製または炭化物セラミックス製の多孔質体からなる。

請求項（抜粋）：

ウェハ研磨装置を構成しているテーブルの研磨面に対して半導体ウェハを摺接させるべく、保持面に前記半導体ウェハを保持するウェハ保持プレートにおいて、気孔率が15%〜50%である珪化物セラミックス製または炭化物セラミックス製の多孔質体からなるウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート。

IPC (2件)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/04 H ,  H01L 21/304 622 G

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AB01 ,  3C058AB04 ,  3C058AB06 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高熱伝導SiCセラミックス及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067919   出願人：株式会社日立製作所, 新日本製鐵株式会社
• 特開平1-253239