特許
J-GLOBAL ID：200903083605412449
アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085292
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】p-i-nアモルファスシリコン系太陽電池において、i層のバンドギャップを減少させて長波長光に対する感度を向上させ、短絡電流密度の高いa-Si太陽電池の製造方法を提供せんとするものである。【構成】基板上に一対の電極層とp型、i型、n型の半導体層を積層するa-Si系太陽電池の製造方法において、前記半導体層にパルス光を照射したり、前記パルス光の照射後に水素雰囲気中でプラズマ処理を施すことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上に一対の電極層とp型、i型、n型の半導体層を積層するアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法において、前記半導体層にパルス光を照射することを特徴とするアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法。
引用特許：
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