特許
J-GLOBAL ID：200903083609565908

表面修飾された多孔性シリカおよびその製造方法

発明者：
張 慶敏

張 慶敏 について

, 
有賀 克彦

有賀 克彦 について

, 
岡部 晃博

岡部 晃博 について

, 
相田 卓三

相田 卓三 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313024
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 多孔性シリカの細孔内表面を修飾できる新しい技術を提供する。【解決手段】 下記の式(3)で表わされる界面活性物質、シリカ源、ゾルゲル反応触媒および水を含む反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、生じた固体をろ過した後、乾燥して粉末にし、加水分解触媒を加えた有機溶媒中に該粉末を分散させて還流することによって多孔性シリカを製造する。式(3)中、Z1、Z2およびZ3の少なくとも1つはアルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、アルコキシ基またはハロゲン原子でないZ1、Z2およびZ3はアルキル基を表わし、Yは疎水性の官能基または原子団を表わし、A’はアミノ酸残基またはその修飾体を表わし、Xは親水性の官能基または原子団を表わす。疎水部が除去された式(3)の界面活性物質によりシリカの細孔内表面が共有結合を介して修飾されている多孔性シリカが得られる。【化1】
請求項（抜粋）：
下記の一般式(1)で表わされる修飾基によりシリカの細孔内表面が共有結合を介して修飾されていることを特徴とする多孔性シリカ。【化1】〔式(1)中、aは1〜3の整数、bはa+b=3を満たす整数であり、Zは炭素数1〜4のアルキル基を表わし、Xはカチオン性または非イオン性の親水性官能基または原子団を表わし、Aは下記の式(2)で表わされるアミノ酸残基またはその修飾体を表わす。〕【化2】〔式(2)中、Rは-NH-CH-CO-とともにアミノ酸残基を構成する官能基または原子団を表わし、mは1から10の整数である。〕
IPC (2件)：
C01B 33/12 ,  C08K 9/06
FI (2件)：
C01B 33/12 Z ,  C08K 9/06
Fターム (20件)：
4G072AA25 ,  4G072AA38 ,  4G072AA41 ,  4G072BB05 ,  4G072BB15 ,  4G072GG02 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL01 ,  4G072QQ09 ,  4G072QQ20 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4J002AA001 ,  4J002DJ016 ,  4J002FB096 ,  4J002FB116 ,  4J002FB146 ,  4J002FD01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM