特許
J-GLOBAL ID：200903083609919629
半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259226
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085696
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 MOSデバイスにより構成される直交変調手段を備えた半導体デバイスに関し、信号漏れを抑制でき、比較的高い周波数信号を扱うのに適した回路を提供する。【解決手段】 回路1,2,3は、複数のMOSデバイスを含んでSOS基板上に配置され、当該基板は通常のシリコン基板上のバイポーラまたはMOSトランジスタを用いた集積回路で使われているようなガードリングやトレンチ構造は使用していない。移相回路1は、外部からLo信号を入力し、それぞれ位相の90度異なるsin信号とcos信号を出力する。直交変調回路2は、sin信号とcos信号を入力し、外部からの信号(I,/I,Q,/Q)によって両信号を変調し、イメージ信号を除去して変調信号を出力する。AGC機能を有する出力バッファ回路3は、直交変調回路2からの変調信号を入力し、比較的低インピーダンスの外部負荷に変調信号を出力する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板と、前記サファイア基板上に配置されるシリコン層と、前記シリコン層上に配置されるMOSデバイスと、前記MOSデバイスにより構成される直交変調手段とを備えたことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 615
, H01L 27/12 S
, H01L 29/78 613 Z
5F110AA01
, 5F110BB13
, 5F110DD04
