特許

J-GLOBAL ID：200903083610349429

半導体製造装置

発明者： 齋藤 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297375
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162412
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置に関し、プラズマ中の反応生成物が側壁に付着することを防止して、パーティクルの発生原因を無くし、デバイス特性及び生産歩留りの向上を図る。【構成】 反応室12内で、反応ガス生成用のプラズマを使用して半導体ウエハ18を成膜あるいはエッチング加工する半導体製造装置において、ガス励起用のプラズマとは異なる別の付着防止用のプラズマを発生するプラズマ発生器11が、反応室12の外側に備えられている。

請求項（抜粋）：

反応室内で、第1のプラズマを使用して半導体基板を成膜あるいはエッチング加工する半導体製造装置において、前記第1のプラズマとは異なる別の第2のプラズマを発生するプラズマ発生器が、前記反応室の外側に備えられていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46