特許
J-GLOBAL ID：200903083611595814
パターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107724
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302507
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 ウエハへダメージを与えることなくレジストとの密着性が向上するパターン形成方法を提供する。【構成】 予め表面清浄化処理を施したウエハWの表面にパターン化するレジストを塗布し、塗布したレジストにリソグラフィー技術によりパターンを形成する方法において、上記表面清浄化処理は、表面活性化物質aの供給管9を連通してなるチャンバ1内に設置したヒータ2にウエハWを載置する。そして、チャンバ1内を減圧状態にしてヒータ2の昇温によってウエハWを加熱する清浄化工程を行う。次いで、チャンバ1内を減圧状態に保ち続けると共に、チャンバ1内に供給管9から表面活性化物質aを導入してウエハWを表面活性化物質aの雰囲気に晒す活性化工程を行う。
請求項（抜粋）：
予め表面清浄化処理を施したウエハの表面にパターン化するレジストを塗布し、塗布したレジストにリソグラフィー技術によりパターンを形成する方法において、前記表面清浄化処理は、チャンバ内に設置した昇温可能な試料台にウエハを載置する工程と、前記チャンバ内を減圧状態にすると共に前記試料台を昇温して前記ウエハを加熱する清浄化工程とを行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
