特許
J-GLOBAL ID：200903083612084244
半導体不純物シミュレーション方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351141
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189472
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 Dual-Pearson関数のパラメータの収束性および精度を良くし、信頼性が高い分布パラメータを抽出し、これを用いた計算の精度を向上させる。【解決手段】 SIMS測定やモンテカルロ法計算等によるイオン注入時の不純物濃度分布データから、ドーズ量のみ異なる少なくとも2つの不純物濃度分布データを選択し(ST3,ST7) 、この高ドーズな不純物濃度分布データに対する第1Pearson 関数の近似計算(ST4) と、低ドーズな不純物濃度分布データに対する第2Pearson 関数の近似計算(ST8) との少なくとも何れかを行ない、この2つの関数の少なくとも何れかのパラメータを求め、このパラメータを用いて、イオン注入時の不純物濃度の分布パラメータを抽出し(ST12 〜ST15) 、抽出した分布パラメータを用いて、半導体装置の製造過程での不純物の振る舞いまたは最終的な不純物濃度分布データを見積もる(ST16)。
請求項（抜粋）：
入力データが示すイオン注入時の不純物濃度分布に対し、Dual-Pearson関数を、そのパラメータを適宜変更させながら合わせ込み、最も一致度が高い当該関数のパラメータを前記イオン注入時の不純物濃度分布の分布パラメータとして抽出し、抽出した分布パラメータを用いて、半導体装置の製造過程での不純物の振る舞いまたは最終的な不純物濃度分布を見積もる半導体装置の不純物シミュレーション方法であって、前記入力データから、ドーズ量のみ異なる少なくとも2つの不純物濃度分布のデータを選択し、前記Dual-Pearson関数を構成する第1Pearson 関数または第2Pearson 関数について、選択されたドーズ量が高い不純物濃度分布に対する第1Pearson 関数の近似計算と、選択されたドーズ量が低い不純物濃度分布に対する第2Pearson 関数の近似計算との少なくとも何れかを行ない、前記第1Pearson 関数および第2Pearson 関数の少なくとも何れかのパラメータを求める半導体不純物シミュレーション方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, G06F 17/00
, G06F 17/50
, H01L 21/00
H01L 21/265 Z
, H01L 21/00
, G06F 15/20 D
, G06F 15/60 612 A
, G06F 15/60 666 S
