特許

J-GLOBAL ID：200903083622971451

磁気メモリ素子およびそれを用いた磁気メモリ

発明者： 山崎 陽太郎 ,  成宮 義和
出願人/特許権者： 山崎 陽太郎 ,  ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266565
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 加熱手段により効率良く、書き込みおよび消去を行うことが出来る磁気メモリ素子およびそれを用いた磁気メモリを提供することにある。【解決手段】 閉磁路を実質的に構成することができる閉じた形状をなす磁界制御部と、その閉じた形状を2分するように磁界制御部の2箇所から閉じた形状の内部に向って延設されるとともに、当該延設された互いの対向部材にギャップを形成する磁気記憶部と、当該磁気記憶部のギャップ近傍に設けられた磁界検出手段を有する磁気メモリ素子であって、前記磁界制御部は、2分された閉じた形状のそれぞれに閉磁路を切断するためのスイッチ部を備え、前記2分された閉じた形状のそれぞれに形成されたスイッチ部によって、前記磁界制御部の閉磁路の切断を交互に行うことにより、前記磁気記憶部の磁化方向が互いに反転するように構成される。

請求項（抜粋）：

閉磁路を実質的に構成することができる閉じた形状をなす磁界制御部と、その閉じた形状を2分するように磁界制御部の2箇所から閉じた形状の内部に向って延設されるとともに、当該延設された互いの対向部材にギャップを形成する磁気記憶部と、当該磁気記憶部のギャップ近傍に設けられた磁界検出手段を有する磁気メモリ素子であって、前記磁界制御部は、2分された閉じた形状のそれぞれに閉磁路を切断するためのスイッチ部を備え、前記2分された閉じた形状のそれぞれに形成されたスイッチ部によって、前記磁界制御部の閉磁路の切断を交互に行うことにより、前記磁気記憶部の磁化方向が互いに反転するようになっていることを特徴とする磁気メモリ素子。