特許

J-GLOBAL ID：200903083629520650

立方晶窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205673
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054438
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 立方晶3-5族化合物半導体基板上に、表面の平坦性および結晶性が良好な立方晶窒化物半導体結晶を形成する。【解決手段】 アルミニウムを含む立方晶の半導体層2を有し、この半導体層2を窒素化合物の雰囲気中で加熱することにより、この半導体層の一表面を窒化させ、その後、窒素化合物と3族元素を含む化合物とを供給することにより、半導体層2上に立方晶窒化物半導体層3を形成する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを含む立方晶の半導体層の一表面が窒化されており、この表面上に、立方晶窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする立方晶窒化物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/20