熱電変換モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-131545
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317648
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】熱電素子を構成する半導体と電極の接合部分の熱応力の発生を防止して半導体のクラックの発生を防止する熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】第1と第2の絶縁体間11、11aに、銅より大きい熱膨張係数からなるP型、N型半導体13、13aの一対を並設してなる熱電素子12の複数組が絶縁体のそれぞれに設けられる第1と第2の電極14、14aを介してP型、N型半導体13、13aを直列に連結する熱電変換モジュール10において、反対面にモリブデンからなるヒートシンク板15を接合する第1の絶縁体11が窒化アルミニウム基板からなり、直列に接続するための第1の絶縁体11に設けられる第1の電極14がモリブデン電極、第2の絶縁体11aに設けられる第2の電極14aが銅電極、しかも、P型及びN型半導体13、13aとモリブデン電極との間には、中間の熱膨張係数値を有する第1の繋ぎ用電極16が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

略平行に平面どうしで対向する第1と第2の絶縁体間に、円柱体又は多角柱体からなり、銅の熱膨張係数より大きい高熱膨張係数を有するP型半導体とN型半導体の一対を並設してなる熱電素子の複数組が前記第1と第2の絶縁体のそれぞれに設けられる第1と第2の電極を介して前記P型半導体と前記N型半導体を電気的に直列に連結して前記第1の絶縁体側を高温側、前記第2の絶縁体側を低温側とする熱電変換モジュールにおいて、前記第1の電極が形成される反対面にモリブデンからなるヒートシンク板を接合して有する前記第1の絶縁体が窒化アルミニウム基板からなり、前記P型半導体と前記N型半導体を直列に接続するための前記第1の絶縁体に設けられる前記第1の電極がモリブデン電極からなり、前記P型半導体と前記N型半導体を直列に接続するための前記第2の絶縁体に設けられる前記第2の電極が銅電極からなり、しかも、前記P型半導体及び前記N型半導体と前記モリブデン電極との間には、前記P型半導体及び前記N型半導体と前記モリブデン電極との間の熱膨張係数値を有する第1の繋ぎ用電極が設けられていることを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (6件)：

H01L35/32 , H01L23/38 , H01L35/08 , H01L35/18 , H01L35/30 , H02N11/00

FI (6件)：

H01L35/32 A , H01L23/38 , H01L35/08 , H01L35/18 , H01L35/30 , H02N11/00 A

Fターム (2件)：

5F036AA01 , 5F036BA33

引用特許：

出願人引用 (1件)

熱電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320247 出願人：松下電工株式会社

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