特許

J-GLOBAL ID：200903083634743373

半導体レーザ素子

発明者： 松原 邦雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309381
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167757
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】電流狭窄層の高濃度のドーパントの拡散を防止し、電流狭窄のためのp-n接合が所定の位置に形成できる構造のLD素子を提供する。【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層6、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7、第2導電型のGaAsのコンタクト層8が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、キャップ層5と電流狭窄層6の界面にGaAs酸化層51を有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層、第2導電型のGaAsのキャップ層、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層、第2導電型のGaAsのコンタクト層が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、第2クラッド層と電流狭窄層との間にGaAs酸化層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。