特許

J-GLOBAL ID：200903083637116701

半導体レーザ

発明者： 中島 徹人 ,  八重樫 浩樹 ,  中村 幸治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130342
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 高出力で動作する場合においてもCODが生じることのない半導体レーザを提供すること。【構成】 n-GaAs基板10上に、基板側から順に、n-AlGaAs第1クラッド層20、活性層30、p-AlGaAsエッチング済み第2クラッド層40a、p-GaAsエッチング済みコンタクト層50aが形成されている。ストライプ状のリッジ70の両側は、端面側をn-GaAs端面側ブロック層110により、残りの部分をn-AlGaAs中央部下側ブロック層80aとn-GaAs中央部上側ブロック層90aとにより埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、該GaAs基板の上側の第1クラッド層と、該第1クラッド層の上側の活性層と、該活性層の上側の第2クラッド層と、電流ブロック層とを少なくとも具え、出射端面と高反射端面との間にストライプ状のリッジを形成して、その両側を前記電流ブロック層で埋め込んだ光閉じ込め型の半導体レーザにおいて、前記電流ブロック層を、前記高反射端面側に設けられた第1ブロック層と、前記出射端面側に設けられた第2ブロック層とを以って形成してあり、前記リッジの両側に位置し前記基板から前記第2ブロック層の表面までの第2領域の等価屈折率が、リッジの両側に前記第2領域に隣接して位置し前記基板のから前記第1ブロック層の表面までの第1領域の等価屈折率よりも大きいく、前記リッジの部分に位置し前記基板の表面から前記第2クラッド層の表面までのリッジ領域の等価屈折率が、前記第1領域の等価屈折率よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ。