特許
J-GLOBAL ID：200903083637376738

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
臼田 宏治

臼田 宏治 について

, 
佐竹 秀喜

佐竹 秀喜 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289611
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 界面粗さを小さくできる絶縁膜形成工程を持つ半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 前処理室1において、シリコン基板10の自然酸化膜を除去し且つ、その表面の平均表面粗さを0.16nm以下に低減させる。搬送室3及び成膜室2を高純度窒素雰囲気に保持してシリコン基板10を成膜室2に搬送する。成膜室2のガスを切り換えて、ラジカル酸素を供給し、シリコン基板10の表面に、410°C〜700°Cの雰囲気でのラジカル酸化により酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、半導体基板の自然酸化膜を除去し且つ、その表面の平均表面粗さを0.16nm以下に低減させる前処理工程と、この前処理工程を経た前記半導体基板の表面に活性酸素を含む雰囲気でのラジカル酸化により絶縁膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B
Fターム (23件)：
5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BE01 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF73 ,  5F058BF77 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA10 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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