特許

J-GLOBAL ID：200903083637647197

半導体光集積回路の製造方法

発明者： 荒川 智志 ,  鎌田 良行 ,  柳川 久治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308772
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142698
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 近接して設けられる半導体層部間の電流リークや光の漏れを防ぐことができる半導体光集積回路の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板30上に第1半導体層部40と第2半導体層部41とを近接して形成する工程を有する半導体光集積回路の製造方法において、半導体基板30上に第1半導体層部40を形成し、次いで、前記第1半導体層部40上、その側壁面およびその側壁下端周縁部40aに所望の形状の成長防止マスク34を形成し、次いで、前記成長防止マスク34上を除いて選択的に第2半導体層を成長させて第2半導体層部41を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1半導体層部と第2半導体層部とを近接して形成する工程を有する半導体光集積回路の製造方法において、半導体基板上に所望の形状の第1半導体層部を形成し、次いで、前記第1半導体層部上、その側壁面およびその側壁下端周縁部に所望の形状の成長防止マスクを形成し、次いで、前記成長防止マスク上を除いて選択的に第2半導体層を成長させて第2半導体層部を形成することを特徴とする半導体光集積回路の製造方法。