特許

J-GLOBAL ID：200903083643193637

太陽電池

発明者： 西谷 幹彦 ,  和田 隆博 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218480
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 透明絶縁性基板の上に、順次、透明性の第1電極層、ZnSとCdSの傾斜組成層、光吸収用半導体層、第2電極層が積層されていることにより、窓層表面近傍で生成される電子-正孔対を効率良く光電流として獲得できるため、高いエネルギー変換効率を有する太陽電池を得る。【構成】 ガラス基板等の透明絶縁性基板11の上に、ITOやSnO2 等からなる透明性の第1電極層12が形成され、その上に順次ZnS薄膜13a、Znx CdS(1-x) 薄膜13b、CdS薄膜13cが形成される。次に、光吸収用半導体層14として、p型のCdTe薄膜又はCuInSe2 薄膜が形成され、その上にAuやNi等の第2電極層15が形成される。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板の上に、順次、透明性の第1電極層、ZnSとCdSの傾斜組成層、光吸収用半導体層、第2電極層が積層されている太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 L