特許
J-GLOBAL ID:200903083644058040

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-252595
公開番号(公開出願番号):特開2002-076271
出願日: 2000年08月23日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 従来のデカップリングコンデンサは、ショートが発生した場合、電源とグラウンドが直接ショートしてしまうため、チップ自体が使い物にならなくなっていた。【解決手段】 MOSトランジスタで構成されたデカップリングコンデンサ201と、このデカップリングコンデンサ201と電源間に接続されたpMOSトランジスタ202と、デカップリングコンデンサ201とグラウンド間に接続されたnMOSトランジスタ203とを備えている。また、pMOSトランジスタ202のゲート端子は、nMOSトランジスタ203のドレイン端子とデカップリングコンデンサ201との接続点Vbに接続され、nMOSトランジスタ203のゲート端子はpMOSトランジスタ202のドレイン端子とデカップリングコンデンサ201との接続点Vaに接続されている。
請求項(抜粋):
電源とグラウンドとの間に挿入したデカップリングコンデンサを備えた半導体集積回路であって、前記デカップリングコンデンサにショートが発生した際に、前記電源と前記グラウンド間の抵抗となる保護回路を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/003
FI (2件):
H03K 19/003 E ,  H01L 27/04 H
Fターム (8件):
5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH07 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ20 ,  5J032AA05 ,  5J032AB02 ,  5J032AC18

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