特許

J-GLOBAL ID：200903083647077712

カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 立薗 信一 ,  金賀 由人 ,  高野 秀樹
出願人/特許権者： 日立粉末冶金株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-210555
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】不純物が少なく、かつ精製処理が簡便で収率が高いカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】炭素電極のアーク放電によりカーボンナノチューブを含む煤を生成し、得られた煤を精製する。炭素電極のアーク放電を、触媒金属及び常温で固体状のフッ素化合物の存在下で行う。フッ素化合物として、フッ化黒鉛またはポリテトラフルオロエチレンなどのフッ化炭素化合物を用いる。又、アーク放電において、硫黄を共存させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭素電極のアーク放電によりカーボンナノチューブを含む煤を生成し、得られた煤を精製するカーボンナノチューブの製造方法であって、前記炭素電極のアーク放電を、触媒金属及び常温で固体状のフッ素化合物の存在下で行うことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (14件)：

4G146AA11 ,  4G146BA02 ,  4G146BA11 ,  4G146BA17 ,  4G146BC17 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CA02 ,  4G146CA03 ,  4G146CA08 ,  4G146CA09 ,  4G146CB12 ,  4G146CB31 ,  4G146CB37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• カーボンナノ微粒子の製造方法,カーボンナノ微粒子の製造装置,単層カーボンナノチューブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-103825   出願人：滝川浩史, 双葉電子工業株式会社, 東海カーボン株式会社
• 機能性炭素材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-121022   出願人：大阪瓦斯株式会社

引用文献：

審査官引用 (11件)

• Preparation of Carbon Nanohorn Aggregates by Cavity Arc Jet in Open Air
• Catalytic Synthesis of Single-Layer Carbon Nanotubes with a Wide Range of Diameters
• Filling carbon nanotubes with metals by the arc-discharge method: the key role of sulfur
• Semi-continuous synthesis of single-walled carbon nanotubes by a hydrogen arc discharge method
• THE EFFECT OF SULFUR ON THE SYNTHESIS OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES BY ELECTRIC ARC METHOD
• Growth of Large-Diameter Single-Walled Carbon Nanotubes
• Large-scale rooted growth of aligned super bundles of single-walled carbon nanotubes using a directe
• Low pressure synthesis of single-walled carbon nanotubes by arc discharge
• 単層,多層ナノチューブの生成と精製
• アーク放電法で作製した多層および単層カーボンナノチューブ
• A new purification method of single-wall carbon nanotubes using H2S and O2 mixture gas