特許

J-GLOBAL ID：200903083648221841

半導体装置

発明者： 粟野 直実 ,  犬塚 肇 ,  久冨 茂樹 ,  水越 正人
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125225
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】光の取り出し効率に優れた半導体装置を提供することにある。【構成】Si基板1にはp-Si拡散層2が形成され、p-Si拡散層2の内部にn-Si拡散層3が形成されている。Si基板1のp-Si拡散層2およびn-Si拡散層3上に発光用活性領域となるn-GaAs層4が成長され、n-GaAs層4の上に発光用活性領域となるp-GaAs層5が成長されている。p-GaAs層5上面におけるp-Si拡散層2の上方位置には上部電極7が配置されている。電流は、上部電極6からn-GaAs層4とp-GaAs層5との間のpn接合部における上部電極6の真下以外の領域に注入され、この部分にて発光する。発光した光はp-GaAs層5を通過して外部に発せられる。

請求項（抜粋）：

一部に電流経路形成領域となる第1の伝導型領域を有する半導体単結晶基板と、前記半導体単結晶基板上に成長され、前記半導体単結晶基板とは異なる材料よりなり、かつ、前記半導体単結晶基板の第1の伝導型領域とそれ以外の領域の両方に接する発光用活性領域となる第1の伝導型半導体と、前記第1の伝導型半導体の上に成長され、前記第1の伝導型半導体と同じ材料よりなる発光用活性領域となる第2の伝導型半導体と、前記第2の伝導型半導体の上面での前記半導体単結晶基板の第1の伝導型領域以外の領域における上方に配置された電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-281562
  
• 特開平2-078280
  
• 特開平3-003373