特許

J-GLOBAL ID：200903083651526033

成膜前処理方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018891
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215056
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 リフトオフ法によりはんだ膜を選択的に形成してはんだ膜のパターニングを行うようにしたはんだボールバンプの製造工程において、レジストスカム除去を再現性が良く安定したプロセスで行うことができる成膜前処理方法を提供する。【解決手段】 半導体基体11上にAl電極パッド12、表面保護膜13、BLM膜14を順次形成する。全面にレジスト膜を形成し、リソグラフィー法によるパターニングを行って所定形状のレジストパターン15を形成した後、半導体基体11をプラズマ処理装置に導入し、プラズマ放電出力を段階的に増加させた後、一定のプラズマ放電出力でスパッタエッチング処理を行い、レジストパターン15の開口部16の底部の残存するスカム15aを完全に除去し、清浄なBLM膜14の表面を露出させる。この後、はんだ膜17の成膜を行う。

請求項（抜粋）：

基体上にリフトオフ法により金属膜を選択的に形成する際に、上記リフトオフ用のレジストパターンを形成した後、上記金属膜を成膜する前に行われる成膜前処理方法において、不活性ガス中でプラズマを発生させるためのプラズマ放電出力を段階的に増加させた後、一定のプラズマ放電出力の下で実質的なスパッタエッチング処理を行うようにしたことを特徴とする成膜前処理方法。