特許
J-GLOBAL ID：200903083652601624
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231158
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084967
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体と金属の界面構造の熱的な安定性を維持しつつ、高いショットキー障壁と低い電気抵抗を有する電極や配線を簡便な製造方法を用いて精度良く実現する。【構成】 III -V族化合物半導体上の多層構造を有する電極や配線において、化合物半導体や絶縁膜と接触する金属としてモリブデンを用い、電極や配線を構成する金属にモリブデンよりも比抵抗が小さく、かつ電子ビームあるいは抵抗加熱による蒸着が可能な材料を用いる。
請求項（抜粋）：
III -V族化合物半導体上に多層構造からなるショットキー電極を有する半導体装置において、化合物半導体とショットキー接触する金属がモリブデンであり、モリブデン上にモリブデンよりも比抵抗が小さくかつ電子ビーム蒸着あるいは抵抗加熱による蒸着が可能な材料を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/48
