特許
J-GLOBAL ID：200903083660702960
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330959
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117017
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 小型でかつ発光効率の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にn型層及びp型層を有し、p型層の表面にp電極が形成され、p型層の一部が除去されて露出されたn型層表面にn電極が形成され、それら同一面側にあるp電極とn電極とに通電することにより、電極側から発光を観測する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法において、台座電極と対角位置のp型層の一部をエッチング除去して、下部にあるn型層の表面を露出させ、該露出部分に台座電極と異なる平面形状を有するワイヤーボンディング用の電極を形成し、その互いに平面形状の異なる台座電極及びn電極にそれぞれワイヤボンディングすることを含む。
請求項（抜粋）：
基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にp電極が形成され、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にn電極が形成され、それら同一面側にあるp電極とn電極とに通電することにより、電極側から発光を観測する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法において、前記p電極を形成する工程は、各チップを構成するp型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面に、金属薄膜よりなるオーミック用の透光性電極を形成する工程と、その透光性電極の表面の一部に、n電極と対角をなす位置でn電極と異なる平面形状を有するワイヤーボンディング用の台座電極を形成する工程とからなり、前記n電極を形成する工程は、前記台座電極と対角をなす位置にあるp型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部をエッチング除去して、下部にあるn型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を露出させた後、該露出部分に前記台座電極と異なる平面形状を有するワイヤーボンディング用の電極を形成する工程からなり、前記p電極を形成する工程において、対角に配置されたn電極と台座電極との間にあり、かつ発光観測面となるp型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面に前記透光性電極を形成し、n電極と台座電極との通電時に、その透光性電極からほぼ均一な発光が観測されるようにし、さらに前記互いに平面形状の異なる台座電極及びn電極にそれぞれワイヤボンディングする工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
