特許

J-GLOBAL ID：200903083660823997

バイアス電圧発生回路

発明者： 日月 央
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345201
公開番号（公開出願番号）：特開2003-150258
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 低電源電圧しかも広い電源電圧範囲でバイアス電圧を供給し、低消費電力化を実現でき、かつ製造プロセスのバラツキや動作温度条件の変動による影響を抑制できるバイアス電圧発生回路を提供する。【解決手段】電源電圧Vddと共通電位線との間に抵抗素子R1,R2及びダイオード接続したMOSトランジスタML1を直列接続して、抵抗素子R2と並列にMOSトランジスタM2を接続し、製造工程のバラツキなどの影響はトランジスタML1のしきい値電圧の変動によってキャンセルし、また、電源電圧の変動による影響はトランジスタM2のオン抵抗の変化によってキャンセルするので、抵抗素子R1とR2の接続点から出力されるバイアス電圧Vbsを差動増幅回路の電流源トランジスタのゲートに供給することでトランジスタのしきい値電圧のバラツキや温度、電源電圧の変動に影響されず、安定した動作特性を実現できる。

請求項（抜粋）：

第1の電源電圧供給線と第2の電源電圧供給線との間に直列接続されている第1の抵抗素子、第2の抵抗素子及び第1のMOSトランジスタと、上記第2の抵抗素子と並列に接続され、動作時ゲートに上記第1の電源電圧に応じた電圧が印加される第2のMOSトランジスタとを有し、上記第1のMOSトランジスタのゲートにそのドレイン電圧が印加され、上記第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点からバイアス電圧が出力されるバイアス電圧発生回路。

IPC (3件)：

G05F 3/24 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

G05F 3/24 B ,  H01L 27/04 G

Fターム (12件)：

5F038AV06 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB25 ,  5H420NC03 ,  5H420NE26