特許

J-GLOBAL ID：200903083664009305

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 芳之内 淳 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307350
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104280
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 ガラス基板13上に多結晶シリコン薄膜16、ゲート絶縁膜17、ゲート電極18を形成し、多結晶シリコン薄膜16中に自己整合でイオン21を照射してイオンシャワードーピング法で多結晶シリコン薄膜中に不純物イオンを注入する薄膜トランジスタの製造方法において、イオン注入後の製造プロセス温度を450°C以下とする。不純物イオンを生成するプラズマ源の原料ガスをPH3ガスと水素ガスの混合ガスとし、この水素ガスの濃度を80%以上、リンイオンの注入ドーズ量を5×1014個/cm2以上、5×1016個/cm2以下とする。【効果】 軟化点が低いガラス基板上に容易に薄膜トランジスタを作製でき、また、イオン注入後のアニールをしないで多結晶シリコン薄膜中の不純物を活性化できるため、イオン注入後のプロセスが450°C以下の低温プロセスの場合においても短時間で薄膜トランジスタを作製することができる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、該多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、磁場印加下誘起された周期律表第III族元素イオンと水素イオンもしくは周期律表第IV族元素イオンと水素イオンもしくは周期律表第V族元素イオンと水素イオンを含むプラズマ源から離れた位置に設置し、該プラズマ源からのイオンを加速し該多結晶シリコン薄膜中に選択的に該III族またはIV族またはV族元素をイオン注入する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、該イオン注入工程以降の製造プロセス温度が450°C以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-022669
  
• 特開昭63-194326