特許
J-GLOBAL ID：200903083667914106
分子イオン注入を用いたSIMOX処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038559
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106512
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 基板へのダーメージの少ないイオン注入方法を用いたSIMOXプロセスを提供する。【構成】 所定の絶縁材料の分子イオンのソースを供給する工程と、注入エネルギーが40keVを越える分子イオンビームを該分子イオンから生成する工程と、該分子イオンビームを用いて該シリコン基板に分子イオンを注入する工程と、該基板をアニールし、絶縁材料の埋め込み層を形成する工程とを包含するシリコン基板中に埋め込み絶縁層を生成する方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板中に埋め込み絶縁層を生成する方法であって、(a)所定の絶縁材料の分子イオンのソースを供給する工程と、(b)注入エネルギーが40keVを越える分子イオンビームを該分子イオンから生成する工程と、(c)該工程(b)の分子イオンビームを用いて該シリコン基板に分子イオンを注入する工程と、(d)該基板をアニールし、絶縁材料の埋め込み層を形成する工程と、を包含する方法。
IPC (2件)：
H01L 27/00 301
, H01L 21/265
