特許
J-GLOBAL ID：200903083667966726
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211707
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055151
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハ表面に被膜を堆積するCVD装置やエピタキシャル成長装置等の半導体製造装置に関し、特に半導体ウェーハを均一に加熱できる加熱ヒータを備えた半導体製造装置の提供を目的とする。【構成】 導電性と耐熱性を有して表面に半導体ウェーハ17を載置する発熱体21と、この発熱体21に電流を供給して自己発熱させる電源12とを含んでなる加熱手段20を有する半導体製造装置において、発熱体21の表面の曲率半径が、この表面と対面する平面を構成して互いに直交するX軸及びY軸方向にそれぞれ異なるように半導体製造装置を構成する。
請求項（抜粋）：
導電性と耐熱性を有して表面に半導体ウェーハ(17)を載置する発熱体(21)と、この発熱体(21)に電流を供給して自己発熱させる電源(12)とを含んでなる加熱手段(20)を有する半導体製造装置において、発熱体(21)の表面の曲率半径が、この表面と対面する平面を構成して互いに直交するX軸及びY軸方向にそれぞれ異なることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/324
