特許

J-GLOBAL ID：200903083670071047

高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 小原 直樹 ,  沢田 太助 ,  北川 雅俊 ,  上野山 雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328060
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218227
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する。【解決手段】 高誘電体薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を形成した高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であって、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が(111)面に優先配向し、かつ高誘電体薄膜の上部電極及び下部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が(111)面に優先配向するように形成するとともに、前記高誘電体薄膜の形成温度が300度を上限とするように設定する。

請求項（抜粋）：

高誘電体薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を形成した高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であって、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が(111)面に優先配向し、かつ高誘電体薄膜の上部電極及び下部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が(111)面に優先配向するように形成するとともに、前記高誘電体薄膜の形成温度が300度を上限とするように設定した高誘電体薄膜コンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (20件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232509   出願人：株式会社東芝
• 誘電体薄膜素子の製造方法及び誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180378   出願人：シャープ株式会社
• 高誘電体キャパシタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189260   出願人：富士通株式会社
• 薄膜コンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095517   出願人：株式会社村田製作所
• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323485   出願人：株式会社東芝