特許

J-GLOBAL ID：200903083673250309

半導体発光装置

発明者： 紺野 邦明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182692
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019695
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】可視光に透明な基板を使用する半導体発光装置において、発光及び光取出し効率を向上でき、実装負荷のかからない半導体発光装置を提供する。【解決手段】p-GaP透明基板11一主面には、この面積より小面積に形成され、且つpn接合による電流注入により、その半導体に固有な波長の光を発光させるための積層構造を有する半導体発光層20が接着されている。この半導体発光層20他主面には、低い電気的接触抵抗のn側コンタクト電極31と光学的な反射率が高い光反射層32とを有する第1主電極30が設けられ、p-GaP透明基板11の他主面には、p側コンタクト電極としての第2主電極33が設けられている。そして、n側コンタクト電極31は、中央部より周辺部側に高密度に配置し、且つその占有面積を第1主電極30の面積に対して6%乃至60%の範囲に設けている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光波長に透明な化合物半導体の透明基板と、 この透明基板の一主面の面積より小面積に形成されて当該透明基板の一主面にその一主面が接着され、且つ電流注入により、その半導体に固有な波長の光を発光させるための積層構造を有する半導体発光層と、 この半導体発光層の一主面と相対向する他主面において、光反射領域とオーミックコンタクト領域とを有する第1主電極と、 前記透明基板の他主面に設けられた第2主電極と、 を具備し、 前記オーミックコンタクト領域は、前記第1主電極の中央部より周辺部側に高密度に配置され、且つ当該オーミックコンタクト領域の占有面積を前記第1主電極の面積に対して6%乃至60%の範囲に設けたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 M

Fターム (8件)：

5F041AA04 ,  5F041AA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA82 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15