特許
J-GLOBAL ID:200903083674934082
パルストランス磁心
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-050545
公開番号(公開出願番号):特開平9-246034
出願日: 1996年03月07日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、広い温度範囲でインピーダンスの周波数特性と伝送特性に優れたパルストランスを実現するために、トランスの高さを3mm以下に形成しても巻線数が少なくて済むパルストランス磁心を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、磁性体からなる環状の磁心本体とそれを覆う樹脂被覆体を具備してなり、磁心本体の外径が10mm以下、厚さ1.2mm以下で、0.1V入力時のAL値が10kHzにおいて4.0μH/N2以上であるようにしたものである。また、前記磁心本体は、軟磁性合金薄帯を巻回して構成しても、プレスにより打ち抜いて得たリングを積層しても、プレスにより打ち抜いたE型薄片とI型薄片を積層して構成しても良い。
請求項(抜粋):
板厚25μm以下の軟磁性合金薄帯から得られたリングを積層して環状の磁心本体が構成され、この環状の磁心本体の外径が10mm以下、厚さ1.2mm以下で、0.1V入力時のAL値が10kHzにおいて4.0μH/N2以上であることを特徴とするパルストランス磁心。
引用特許:
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