特許

J-GLOBAL ID：200903083685034970

半導体発光素子

発明者： 簗嶋 克典 ,  河角 孝行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-351077
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181398
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子構造を構成するn型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層9、Zn0.75Cd0.25Se活性層10、p型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層11をこれらの層と格子整合するn型In0.3 Ga0.7 As層8を介してn型GaAs基板1上に積層する。n型GaAs基板1とn型In0.3Ga0.7 As層8との間には、n型In0.05Ga0.95As層3、n型In0.1 Ga0.9 As層4、n型In0.15Ga0.85As層5、n型In0.2 Ga0.8 As層6およびn型In0.25Ga0.75As層7を挿入し、格子不整合を緩和する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上のIn<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-x-y </SB>As層(ただし、0<x≦1かつ0≦y<1かつx+y≦1)と、上記In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-x-y </SB>As層上の、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のVI族元素とからなり、発光素子構造を構成する複数のII-VI族化合物半導体層とを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D