特許
J-GLOBAL ID:200903083685034970

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-351077
公開番号(公開出願番号):特開平9-181398
出願日: 1995年12月25日
公開日(公表日): 1997年07月11日
要約:
【要約】【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子構造を構成するn型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層9、Zn0.75Cd0.25Se活性層10、p型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層11をこれらの層と格子整合するn型In0.3 Ga0.7 As層8を介してn型GaAs基板1上に積層する。n型GaAs基板1とn型In0.3Ga0.7 As層8との間には、n型In0.05Ga0.95As層3、n型In0.1 Ga0.9 As層4、n型In0.15Ga0.85As層5、n型In0.2 Ga0.8 As層6およびn型In0.25Ga0.75As層7を挿入し、格子不整合を緩和する。
請求項(抜粋):
半導体基板と、上記半導体基板上のInx Gay Al1-x-y As層(ただし、0x Gay Al1-x-y As層上の、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のVI族元素とからなり、発光素子構造を構成する複数のII-VI族化合物半導体層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件):
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00
FI (4件):
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D

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