特許

J-GLOBAL ID：200903083689424676

放射線検出装置

発明者： 小池 稔子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013308
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217444
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 PN接合フォトダイオード方式では空乏層を広げるための高電圧を印加する必要があるため、素子全面に形成された電圧印加電極により高電圧が素子端部からリークする。【解決手段】 電圧印加金属電極14の端部が単結晶半導体基板13の端部よりも内側に位置するように電圧印加金属電極14の端部と単結晶半導体基板13の端部を分離して形成する。

請求項（抜粋）：

入射した放射線を電荷に変換する放射線検出素子部が形成された単結晶半導体基板を含み、前記単結晶半導体基板には前記放射線検出素子部の空乏層を広げるための電位を印加する電極が形成された放射線検出装置において、前記電極の端部が前記単結晶半導体基板の端部よりも所定の距離だけ内側に位置するように前記電極と単結晶半導体基板の端部が分離されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (7件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335

FI (7件)：

G01T 1/00 B ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/00 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 F

Fターム (43件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ10 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL11 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA31 ,  5C024AX12 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX18 ,  5C024HX12 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5F088AA02 ,  5F088AB07 ,  5F088BA10 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA03 ,  5F088KA03 ,  5F088LA08