特許
J-GLOBAL ID:200903083693502053

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福島 祥人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-016242
公開番号(公開出願番号):特開2005-209961
出願日: 2004年01月23日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 基板の処理精度を低下させることなく、異なる処理条件が設定された基板を連続的に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 タクトタイムTHaが長く変更された場合、ホットプレート部HP1内で基板の過剰な待機時間PU2が発生する。ここで、ホットプレート部HP1での基板の待機時間は加熱処理前となるように動的に設定される。制御部は、タクトタイムTHaが長く変更された場合に発生する過剰な待機時間PU2を基板の加熱処理時間HWの前に移動させる。その結果、タクトタイムTHaが長く変更された場合、それに応じて基板の加熱処理前の待機時間PU1は長くなるように再設定される。一方、タクトタイムTHbが短く変更された場合、それに応じて基板の加熱処理前の待機時間PU1は短くなるように再設定される。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
基板に複数の処理を行う基板処理装置であって、 基板に処理を行う複数の処理ユニットと、 前記複数の処理ユニットに基板を順次搬送する搬送手段と、 1または複数の基板ごとに予め定められた処理条件に基づいて前記搬送手段および前記複数の処理ユニットを制御する制御手段とを備え、 前記複数の処理ユニットのうち少なくとも1つは、基板の熱処理を行う熱処理ユニットを含み、 前記制御手段は、前記処理条件の変更に応じて前記熱処理ユニットでの基板の熱処理前に基板の待機時間を設定するとともに前記待機時間を動的に調整することを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件):
H01L21/68 ,  H01L21/027
FI (2件):
H01L21/68 A ,  H01L21/30 562
Fターム (20件):
5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031CA07 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA04 ,  5F031FA07 ,  5F031FA09 ,  5F031FA12 ,  5F031HA08 ,  5F031HA33 ,  5F031MA30 ,  5F031PA03 ,  5F031PA05 ,  5F031PA11 ,  5F046JA22 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10 ,  5F046LA11 ,  5F046LA18
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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