特許

J-GLOBAL ID：200903083694701785

GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体成長用基板

発明者： 秋本 克洋 ,  山田 晃義 ,  何 國濱 ,  丸山 隆浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024451
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224856
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 良質の単結晶のGaN系半導体を成長させることができるGaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体成長用基板を提供する。【解決手段】 少なくとも表面がMoS2 からなる基板1を用い、その上に分子線エピタキシー法などによりGaN系半導体3を成長させる。好ましくは、GaN系半導体3の成長温度より低い温度でまずGaN系半導体からなるバッファ層2を成長させた後、その上にGaN系半導体3を成長させる。GaN系半導体3またはバッファ層2を成長させる場合にはそのバッファ層2の成長時の原料の供給は、Ga原料の供給から開始する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が層状物質からなる基板上にGaN系半導体を成長させるようにしたことを特徴とするGaN系半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C