特許

J-GLOBAL ID：200903083695256750

半導体ウエハ上に、金属-酸化物-金属のキャパシタを製造する方法

発明者： ミンセオック オー ,  セレシュ マンシン マーチャント ,  プラディップ クーマー ロイ ,  ユ-フン ウォン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085645
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、デバイスを劣化させることなく金属-酸化物-金属のキャパシタ内の銅層を絶縁する方法を提供することである。【解決手段】 本発明の方法は、半導体ウエハ上に第1電極110を形成するステップと、前記第1電極110の上に五酸化タンタル製の層120を形成するステップと、前記五酸化タンタル製の層120の上に第1バリア層130を形成するステップと、前記第1バリア層130の上に銅を含有する第2電極140を形成するステップとを有する製造方法である。かくして、銅と五酸化タンタルが直接接触しない。

請求項（抜粋）：

(A) 半導体ウエハ上に第1電極(110)を形成するステップと、(B) 前記第1電極(110)の上に五酸化タンタル製の層(120)を形成するステップと、(C) 前記五酸化タンタル製の層(120)の上に第1バリア層(130)を形成するステップと、(D) 前記第1バリア層(130)の上に銅を含有する第2電極(140)を形成するステップとを有することを特徴とする半導体ウエハ上に金属-酸化物-金属のキャパシタを製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z