特許
J-GLOBAL ID：200903083696358182
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315615
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 電気抵抗が小さく、かつ陽極酸化法の適用が可能なものによってゲート電極を形成し、かつ陽極酸化によって形成された比誘電率の高い酸化膜を絶縁層とする薄膜トランジスタを提供する。【構成】 基板10上にゲート電極となるアルミニウム層12及びタンタル層14を積層する。この上にフォトレジスト16を形成してパターニングし、所定の領域についてをCF4 を用いたプラズマエッチング法によってタンタルをオーバーエッチングする。このときアルミニウムはCF4 のプラズマエッチング法ではエッチングされないので、タンタル層の側方部分がエッチングされ、アルミニウム層12とタンタル層14の断面が階段状となる。これに対して陽極酸化を行うことによりタンタル層のほとんどは陽極酸化されタンタル酸化膜20となる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、絶縁膜と、半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極がアルミニウム及びタンタルからなり、このゲート電極の上に前記絶縁膜の一部としてタンタルの酸化膜を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
