特許
J-GLOBAL ID：200903083710255898
バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215629
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064047
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 バンプの高さや形状を常に一定とできるバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 回路を形成した半導体基板の主面に設けた下地電極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、前記基板1の主面にホトレジスト膜6を形成する工程と、前記ホトレジスト膜6を選択的に除去して前記下地電極上に穴7を設ける工程と、前記基板をスピンコータのスピンナ10上に取り付けるとともに前記基板主面に金属ペーストを滴下させ前記スピンナ10を高速で回転させて前記穴内にのみ金属ペースト11を充填する工程と、前記金属ペーストをプリベークする工程と、前記基板の主面のホトレジスト膜6を除去する工程と、前記基板をアニール処理して前記金属ペースト11を焼成してバンプとする工程とを有する。前記金属ペーストは粘度が85cp程度以下の超微粒子ペーストとなっている。
請求項（抜粋）：
基板の主面に設けた下地電極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、前記基板の主面にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を選択的に除去して前記下地電極上に穴を設ける工程と、前記基板をスピンコータのスピンナ上に取り付けるとともに前記基板主面に金属ペーストを滴下させ前記スピンナを高速で回転させて前記穴内にのみ金属ペーストを充填する工程と、前記金属ペーストをプリベークする工程と、前記基板の主面のホトレジスト膜を除去する工程と、前記基板をアニール処理して前記金属ペーストを焼成してバンプとする工程とを有することを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 603 C
, H01L 21/92 604 A
