特許

J-GLOBAL ID：200903083714509053

電解めっき成長の添加剤固有特性の評価装置、電解めっき方法、及び半導体装置の製造方法

発明者： 神吉 剛司 ,  清水 紀嘉 ,  中村 友二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006155
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217997
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】電解めっきにおいて、実際に半導体基板をめっき浴に浸して主材料である銅を析出させてみないと各種添加剤のバランスや制御性が判断できないという問題があった。【解決手段】従来のCVS装置に、回転速度の変化に対応した析出量の変化を、添加剤の濃度ごとにプロットしてグラフを生成する第1のグラフ生成手段と、生成されたグラフの各添加剤濃度の曲線を、回転速度の低い領域と遅い領域とで2つの直線として近似し、2直線の交点を添加剤濃度ごとに、回転速度と対応する析出量をプロットし、直線で近似してグラフを生成する第2のグラフ生成手段と、その手段で得られた直線の傾きを添加剤の固有特性値として算出する手段を設けた。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

評価用電極をめっきの主材料と添加剤とからなるめっき液に浸し、前記評価用電極を回転させて前記主材料を析出させる電解めっき成長の添加剤固有特性の評価装置において、 異なる添加剤濃度を有する複数種類のめっき液に対し、前記回転数と前記主材料の前記評価用電極への析出量との関係を検知する検知部と、 前記検知された析出量と回転数との関係から、各添加剤濃度における低回転数領域と高回転数領域の前記回転数と析出量との関係近似直線の交点を結んで得られる特性直線の傾きを、前記添加剤の固有特性値として生成する固有特性値生成部とを有すること、 を特徴とする電解めっき成長の添加剤固有特性の評価装置。

IPC (7件)：

C25D21/14 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  G01N27/48 ,  G01N33/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (7件)：

C25D21/14 B ,  C25D7/12 ,  C25D21/12 C ,  G01N27/48 301 ,  G01N33/00 B ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 B

Fターム (25件)：

4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024AB19 ,  4K024BA11 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA02 ,  4K024CA15 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024FA01 ,  4K024GA02 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01