特許

J-GLOBAL ID：200903083726235064

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

発明者： 西尾 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109664
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304125
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 アルミニュウム薄膜のエッチングによりエッチングチャンバー内壁に堆積したアルミの塩化物を、次の基板をエッチングチャンバー内に導入する前にアルコールガスを流してO-アルキル基と塩化アルミを反応させて蒸気圧を上げることで、気化させ系外に排出し(さらには、プラズマ放電により反応を促進して)、エッチングチャンバー内壁での堆積膜の増加による異物発生を阻止する。【効果】 エッチングチャンバー内の堆積膜の増加を防げるため、異物を軽減でき安定なアルミニュウムエッチングが行える他、装置のメンテナンスも軽減できる。

請求項（抜粋）：

アルミニュウム薄膜を形成した基板をエッチングチャンバーに設置する工程と、前記エッチングチャンバーに少なくとも塩素を含むガスを導入してプラズマを発生させて前記アルミニュウム薄膜の所望領域をエッチングする工程と、前記基板を前記エッチングチャンバーより取り出す工程と、前記エッチングチャンバー内にアルコールガスを所望量導入して前記エッチングチャンバー内を所望の圧力に維持する工程と、前記アルコールガスの導入を止め前記エッチングチャンバー内を真空に排気する工程より成る一連の工程とを備えてなるドライエッチング方法。