特許

J-GLOBAL ID：200903083727083020

空洞共振器、空洞共振器フィルタおよびモジュール基板

発明者： 大山 隆治
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201530
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048273
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】ミリ波のような高周波数にも対応できる寸法精度を維持しつつ、Q値の高い空洞共振器を提供する。さらに、Q値が高くフィルタ特性の設計自由度の高い空洞共振器フィルタ及び空洞共振器を用いたモジュール基板を提供する。【解決手段】貫通孔を有するシリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板を挟むように構成された、上層基板と下層基板とからなる空洞型共振器であり、前記貫通孔はシリコン単結晶基板の両面から異方性エッチングにより形成された貫通孔であり、前記貫通孔の内壁に導電膜を形成しており、前記上層基板と前記下層基板は導電膜を有し、前記貫通孔の上方及び下方は、前記貫通孔内壁の導電膜と接続された前記上層基板と前記下層基板の導電膜で被われており、前記貫通孔の上方または下方に励振用電極が形成されている空洞共振器およびそれを用いたフィルタ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

貫通孔を有するシリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板を挟むように構成された、上層基板と下層基板とからなる空洞型共振器であり、前記貫通孔はシリコン単結晶基板の両面から異方性エッチングにより形成された貫通孔であり、前記貫通孔の内壁に導電膜を形成しており、前記上層基板と前記下層基板は導電膜を有し、前記貫通孔の上方及び下方は、前記貫通孔内壁の導電膜に接続された前記上層基板の導電膜と前記下層基板の導電膜とで被われており、前記貫通孔の上方または下方に励振用電極が形成されていることを特徴とする空洞共振器。

IPC (3件)：

H01P7/06 ,  H01L23/12 ,  H01P1/208

FI (3件)：

H01P7/06 ,  H01L23/12 301Z ,  H01P1/208 Z

Fターム (11件)：

5J006HC02 ,  5J006HC11 ,  5J006HC22 ,  5J006JA01 ,  5J006LA25 ,  5J006MA05 ,  5J006NA01 ,  5J006NA06 ,  5J006NA08 ,  5J006ND01 ,  5J006ND03