半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203966
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ショットキーバリアダイオードを内蔵したトレンチ構造を有する縦型電界効果トランジスタにおいて、小型化できるようにすることを最も主要な特徴としている。【解決手段】たとえば、第1のベース層13およびソース層15が形成されたエピタキシャル層12の表面部に、トレンチ構造のゲート電極18を形成する。このゲート電極18は、ソース層15を細分化しないように、その形状を工夫して形成するようにする。これにより、ソース層15に対して、それぞれに電源を供給する必要がなくなるため、P層(または、P+層)の形成を省略することが可能となる。

請求項（抜粋）：

第1の表面および対向する第2の表面を有する第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の第1の表面上に設けられた第1導電型の半導体層と、この半導体層の表面領域に選択的に設けられた第2導電型の第1,第2のベース領域と、前記第1のベース領域の表面領域に選択的に設けられた、少なくとも1つの第1導電型のソース領域と、前記ソース領域および前記第1のベース領域を貫通し、前記半導体層に達する深さを有して設けられたトレンチ構造の複数のゲート電極と、前記半導体層、前記第1,第2のベース領域および前記ソース領域の表面に設けられたソース電極と、前記半導体基板の第2の表面上に設けられたドレイン電極とを具備し、前記第1のベース領域、前記ソース領域および前記ゲート電極からなるトランジスタ領域と、前記第1,第2のベース領域および前記第1,第2のベース領域間の前記半導体層からなるダイオード領域とを、前記半導体基板上に配設してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 657 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 29/872

FI (7件)：

H01L 29/78 657 A , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 653 C , H01L 27/06 102 A , H01L 29/48 F

Fターム (27件)：

4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104DD96 , 4M104FF04 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG13 , 4M104GG18 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BF02 , 5F048CB07

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